在美国硅谷举行的“三星内存技术日”上，三星电子公开了名为“Shinebolt”的高带宽内存3E (HBM3E)。
它的容量是现有HBM3 DRAM的1.5倍，处理速度提高了50%左右，功率效率提高了10%。
三星已经将样品寄给了英伟达(Nvidia Corp.)和AMD等客户。
两个月前，SK海力士在8月份表示，已开发出HBM3E，并向英伟达提供了样品进行性能评估。三星电子计划在明年上半年(1 ~ 6月)批量生产最新的DRAM芯片，以主导人工智能存储器市场。
HBM3E是HBM3的扩展版，是继HBM、HBM2、HBM2E、HBM3之后的第五代DRAM内存。
它每秒最多可以处理1.2太字节(TB)或1200千兆字节的数据。
HBM垂直交叉 连接多个DRAM芯片，与早期的DRAM产品相比，显著提高了数据处理速度。今年8月，三星向美国图形处理单元设计公司英伟达(Nvidia)提供了第四代内存HBM3的样品，以进行质量验证。
三星的目标是到2025年开发出第六代DRAM (HBM4)。
该芯片制造商还准备提供结合代工和封装的定制交钥匙服务。
汽车芯片
三星电子还展示了用于汽车的可拆卸固态硬盘(SSD)和高带宽GDDR7，并表示要在2025年之前占据汽车存储芯片市场的首位。
将嵌入车辆的SSD容量为4TB，连续读取速度高达6500 MB/s。上个月，它发布了一款适用于游戏设备的4TB SSD。
这是三星电子首次公开对汽车芯片的野心。三星电子认为，汽车芯片将成为中长期的增长动力。
随着自动驾驶系统变得越来越复杂，三星认为对高速、大容量DRAM和可以与多个系统半导体共享数据的ssd等数据存储设备的需求将迅速增长。
11-NANOMETER DRAM
继今年5月量产12纳米DRAM之后，三星电子8日表示，正在开发11纳米内存芯片。
目前，12纳米的制造工艺是业界最先进的技术。
该公司还准备推出用于10纳米或以下芯片的三维堆叠结构，以使单个芯片能够处理100千兆位以上的数据。
32千兆ddr5
在发布会上，三星还展示了其他类型的高性能、高容量和低功耗内存芯片，包括32g DDR5，这是业界容量最大的内存。
个人DRAM家用电脑、手提电脑
三星还推出了7.5Gbps的LPDDR5X CAMM2，这是一款低功耗的个人专用芯片 Nal计算机和数据中心。
它消耗更少的功率，减少了应用产品的体积，允许更有效地利用内部空间。
三星电子有关人士表示:“CAMM2将改变下一代个人电脑和笔记本电脑DRAM市场的格局。”