即使对三星电子(Samsung Electronics Co.)和SK海力士(SK Hynix Inc.)等市场领军企业来说，保持领先于竞争对手也是生死攸关的问题。
SK海力士联合社长郭鲁中(音)昨天在纪念公司成立40周年的员工座谈会上表示:“只有那些摆脱旧的商品生产方式，生产满足顾客严格需求的新产品的企业才能生存。”
“我们必须确定我们的客户想要什么。只有当我们达到他们的要求时，我们未来的大门才会为我们打开。”
他说，如果SK海力士成为特殊DRAM产品的领导者，特别是在人工智能(AI)时代，它将超越市场领先者三星。SK海力士是世界第二大存储芯片制造商。
Ai芯片引线
他说，该公司已经凭借其尖端技术在一些人工智能芯片方面处于行业领先地位，包括世界上第一个量产的HBM3芯片和业界性能最好的HBM3E芯片。
SK在今年4月表示，已开发出世界上第一个12层24gb内存的DRAM产品。
该芯片被称为HBM3，是高带宽内存3的缩写，是继前几代——HBM、HBM2和HBM2E之后的第四代DRAM内存，也是同类芯片中最薄的。
今年8月，该公司推出了业界性能最佳的用于人工智能应用的DRAM芯片HBM3E，并向其客户英伟达公司(Nvidia Corp.)提供了样品进行性能评估。
HBM3E是HBM3的扩展版，是第五代DRAM内存。
郭社长表示:“预计明年上半年(1 ~ 6月)HBM3E量产之后，将要求芯片制造企业从芯片设计阶段开始与客户紧密合作，以满足特定要求。”
“随着ChatGPT等生成式人工智能服务的出现，人工智能技术进步的步伐加快，人工智能服务的类型将因公司而异。这将导致全球每家公司都有不同的内存规格。”
混合DRAM
他预测说，在半导体行业，存储器、中央处理器(cpu)、系统芯片的技术融合将很快到来，存储器的应用范围将进一步扩大。
他说:“随着PIM等将计算功能置于存储器本身的产品变得更加复杂，存储器芯片甚至将用于量子计算技术。”
PIM是“内存中处理”(processing-in-memory)的缩写，是在内存芯片上增加计算能力的新一代技术，有助于缓解人工智能和大数据处理领域的数据移动拥堵。
当被问及国内生产设施的扩建计划时，他表示，位于京畿道龙仁市的SK芯片集群将于2027年开始运营。
他表示:“一旦启动，将与利川工厂和清州工厂一起形成3大支柱，从而形成优化的生产体系，提高企业效率。”
他感谢员工们的辛勤工作，开发出了DDR5和LPDDR5芯片以及321层NAND芯片等行业领先的产品。