三星电子会长李在镕14日访问了三星半导体的诞生地——基兴园区的新半导体研究开发园区建设现场。这是李在镕在被赦免后时隔14个月再次访问基兴园区。
他回来也发生了大约一个星期前他三年级周年迟来的父亲和前董事长李健熙主席的死和自己的一周年纪念日,突显新主席的坚强的意志让三星半导体技术优于竞争对手。
“我们需要一个创新的转折点,让我们再飞跃半导体业务,由于持续的内部和外部的风险,”李说,在他检查网站,重申维护的重要性,公司的技术领导和先进的投资。
去年8月，在被赦免后，李显龙第一次参观了建筑工地，当时是该建筑群的奠基仪式。2017年，他被判犯有贿赂和挪用公款罪。
三星电子计划在2028年之前投资约20万亿韩元(合147亿美元)，用于引领下一代存储器和系统芯片的设备和工艺的先进研究，并开发面向未来的创新技术。
视察结束后，李副会长会见了三星电子设备解决方案事业部总经理景圭炫、内存事业部总经理李正培、代工事业部总经理崔时荣等干部。
据三星电子透露，双方主要讨论了新一代工艺开发、新技术开发、芯片供应链等半导体产业的现状。
三星电子的半导体事业是从1992年开发出世界上第一个64mb动态随机存储器(DRAM)的基兴园区开始的。
李会昌将于27日举行就任一周年纪念活动。